详细参数
| 基本参数 | 点此用更优惠的价格购买这款产品 |
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| 其他介绍 |
分辨率:5nm（30kv,SE Image）20nm(30KV,BSE Image) 电压:1-30kv（1/5/10/15/20/30） 探测器:SE（Secondary Electron）二次电子,BSE（Back scattered Electron）背散射电子 电子枪:Tungsten Filament（cartridge）钨灯丝 光阑:200um（fix） 真空模式:High Vacuum高真空系统 (Low Vacuum低真空系统可选),电子显微镜,样品台尺寸:X:35㎜,Y:35㎜,R:360?/3-axis 样品尺寸:70*30mm |
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